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美光四连跌:长鑫4F²搅动全球存储格局

2026-10-13 20:13 EDT · AI 整理 · 依据 12 家来源(网络) · 1182 字 · 阅读 …
图:一排八十年代的动态随机存取存储器芯片,存储芯片正是长鑫搅动美光的主战场
图片:ArnoldReinhold / CC BY-SA 4.0 · via Wikimedia Commons

美光四连跌:长鑫4F²搅动全球存储格局

四连跌破千美元关口

10月13日盘中,美光(MU)股价报937.58美元,跌5.18%,连续第四个交易日走低;12日收于989.04美元,跌3.9%,为9月中旬以来首次收在1000美元下方。另有行情统计显示股价一度触及945.03美元,跌4.45%,两个交易日蒸发约500亿美元市值,较6月约1255美元的历史高点回撤逾两成。导火索是周末从中国传来的一则技术公告。

长鑫年底推服务器内存

10月10日,长鑫存储总裁曹堪宇在上海第四届集成芯片和芯粒大会上宣布,公司4F² DRAM架构研发取得关键进展,预计今年年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。南华早报援引公司声明称,产品直指服务器内存市场。

从6F²到4F²密度跃升

曹堪宇介绍,行业主流DRAM采用6F²单元架构,4F²意味着每个存储单元仅占4倍最小特征尺寸的平方,同面积可容纳更多单元。核心创新是自研VSG垂直包围沟道晶体管,竖立布局强化栅控、改善漏电与短沟道效应,再以混合键合把存储阵列与外围逻辑分片制造后整合。中文财经报道称该架构可将存储密度提升约30%至50%。

首发服务器内存直面壁垒

长鑫人士称,DDR5 RDIMM需支撑服务器7×24小时不间断运行,稳定性与兼容性要求极高,把它作为4F²首个落地产品,就是直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。报道显示长鑫自成立即布局4F²专利,公开专利族超300件;韩媒认为此举把竞争从低功耗内存直接推向服务器DRAM正面战场。

韩美存储股集体重挫

抛售迅速外溢:13日韩国三星电子与SK海力士股价均跌逾7%,SK海力士盘中一度跌超10%,KOSPI跌逾5%,日本铠侠跌约13%;美股方面闪迪周一跌5.9%、周二盘前再跌约5%,希捷与西数同步下挫,美光周一纽约收跌约4%、盘前续跌约5%。同期标普500仅跌0.12%,显示这是针对存储板块的定向重定价。

份额十年首现结构性松动

Counterpoint Research数据显示,长鑫今年二季度全球DRAM收入份额升至10%,一年前仅4%,首次进入两位数并居第四;TrendForce口径下三星39.4%、SK海力士24.9%、美光23.3%,长鑫约9.5%。三大厂产能向HBM倾斜留下的常规DRAM缺口正被长鑫填补,7月上市首日股价暴涨466%、市值逼近5000亿美元的长鑫,已是中国市值最高的上市公司。

美光六成收入压在数据中心

按美光8-K文件,上财季核心数据中心与云内存业务合计贡献342.8亿美元、约占营收63%,DRAM约占销售73%。长鑫首刀砍向的服务器RDIMM,正是这块高毛利业务的主力产品。Citi预计DRAM价格增速将放缓四个季度,2027年二季度见顶后转为负增长,而长鑫新增产能恰好对准降温中的市场。

良率与认证仍是未解之谜

谨慎声音同样存在。Morningstar分析师表示,长鑫4F²产品从发布到实现可量产良率仍有明显时间差;有报道援引称其DDR5良率约50%,低于商用通常所需的80%至90%。另有分析师列出七条理由,指长鑫尚未公布完整规格、经验证良率、客户认证结果与量产出货承诺,且该产品属常规服务器DRAM而非HBM。长鑫也未披露规格细节与确切发布日期。

分析师目标价仍高高在上

华尔街并未转向:10月13日Rosenblatt重申买入并给出1900美元目标价;D.A. Davidson的Gil Luria早在10月7日就把目标从2000美元上调至3000美元,为华尔街最高;46位分析师平均目标价约1407.88美元,含41个买入评级。多头理由是美光计划在2027财年上半年投入约250亿美元资本开支、2026日历年HBM供应已售罄、约一半收入锁定多年期协议,并持有683亿美元净现金。

年底量产节点定成败

接下来的观察点很明确:长鑫能否在年底真正出货DDR5 RDIMM,密度、良率与客户认证数据何时公开;竞争对手的4F²时间表同样关键——SK海力士2025年已公布路线图,三星计划2028年量产亚10纳米DRAM。若长鑫良率兑现,存储利润池将重新分配;若良率不及预期,本轮暴跌或被视作情绪错杀。

本文来源

经济