三星破例：英偉達定製HBM的基片改由臺積電3納米代工

三星破例：英偉達定製HBM的基片改由臺積電3納米代工

首爾經濟日報週日獨家

10月18日，韓國《首爾經濟日報》援引業內消息人士報道，三星電子將用臺積電3納米工藝，爲英偉達下一代定製高帶寬內存（HBM）生產基片（base die）。報道稱，這將是三星首次在HBM製造環節與這家臺灣代工廠合作；雙方此前交集只有四年前一次封裝兼容性配合，爲讓三星HBM順利接到GPU上。路透社當日轉述，《經濟時報》、Business Standard、Firstpost 等隨後跟進。

基片是整摞內存的地基

HBM由多層DRAM核心裸片垂直堆疊而成，最底下那片邏輯基片負責與GPU之間的信號收發，直接決定傳輸速度，也決定產品競爭力。英偉達把這代產品命名爲NVHBM、今年8月發佈：它把原本放在GPU計算裸片上的定製內存控制器搬進基片，物理層電路比標準HBM縮小60%，換來最高30%的帶寬提升、15%的功耗下降，併爲計算裸片騰出最多25%的面積。

英偉達要三家統一工藝

報道說，英偉達要求三星、SK海力士、美光三家統一按臺積電3納米做基片，核心裸片統一用第六代10納米級DRAM工藝（1c）。理由很直白：各家做法不同，同一款內存性能難以一致，英偉達還得逐家單獨驗證。統一之後，一份設計、一條工藝線，驗證工作量大幅壓縮。

三星讓出的是高價值一塊

三星長期堅持"交鑰匙"模式：核心裸片和基片都在自家產線完成。量產的HBM4與驗證中的HBM4E，基片用的都是三星代工的4納米。接受英偉達的要求，等於在最重要的客戶項目上把高價值邏輯芯片交給競爭對手。業界估計臺積電3納米良率超90%、三星2納米約60%——兩者工藝不同、設計也可能不同，不能直接對比；TechTimes 引述的估算則把三星SF2放在50%至60%區間。

臺積電正給3納米加產能

臺積電10月15日法說會給出底氣：第三季3納米佔晶圓收入33%、高性能計算佔營收68%；臺南Fab 18將新增兩條3納米產線，分別在2027年上半年、2028年上半年量產；亞利桑那二廠3納米定在2027年第三季，熊本二廠定在2028年。三家存儲廠同時來搶3納米基片產能，這些新增產線就是承接池。

三星留了2納米的後手

《首爾經濟日報》後續報道稱，若英偉達需求超出臺積電可供產能，三星自家代工將以2納米工藝做備份。三星同時表示，標準HBM和供給AMD等其他客戶的定製產品仍走自產路線。一位業內人士稱，臺積電3納米產線還要兼顧高性能計算和手機芯片，分給存儲廠的量可能觸頂。

份額表上三星仍是第二

按Counterpoint數據，2026年第二季HBM收入份額：SK海力士50%、三星33%、美光18%。SK海力士早已用臺積電12納米做主流HBM4基片，並向3納米升級；美光的NVHBM模塊計劃2027年量產。三星若固守自家2納米確有丟單風險，這被普遍視爲它讓步的現實原因。

時間表指向2028年

英偉達計劃在2028年的Feynman平臺上首次大規模部署NVHBM，美光2027年的量產節奏與之吻合。三星今年2月量產HBM4，良率從不足60%爬升到約80%，還爲谷歌、Meta、英偉達定製項目增派250名工程師。

官方沉默，股價先跌

截至發稿，英偉達、三星、SK海力士、美光、臺積電均未證實。消息出爐前一週（10月12日至16日），三星電子股價跌17.8%至21.55萬韓元、SK海力士跌24.3%至127.2萬韓元，創2008年金融危機以來最大周跌幅——主因是AI支出疑慮引發的半導體拋售，與這則報道無關。